LTC1157デュアル3.3VマイクロパワーMOSFETゲート・ドライバは、低R DS(ON) のNチャネル・スイッチ(PチャネルMOSFETはV GS </=3.3VでR DS(ON) を保証していないためNチャネル・スイッチが必要です)を通して、電源またはグランドを基準とする負荷を切り替えることができ ...

LTC1165は反転入力になっており、システムのドライブ極性を変えないで、PチャネルMOSFETスイッチを直接置き換えることができます。LTC1163は非反転入力になっています。 LTC1163/LTC1165は、待機時電流が0.01μA、動作時電流が95μAのマイクロパワー動作を実現し ...

【プレスリリース】発表日:2024年12月12日STマイクロエレクトロニクス、IGBTおよびSiC MOSFET向けの柔軟な保護を実現する先進的なガルバニック絶縁ゲート･ドライバSTGAP3Sを発表空調システムや生活家電、ファクトリ･オートメーション向けのモータドライブを備えた産業用機器、充電ステーションの電力制御や、蓄電システム、電源などのエネルギー機器に最適*2024年11月7日にジ ...

パワーMOSFETには、Nチャネル品とPチャネル品があります。その違いは電流の流れる向き ... 本製品は、IO-Linkなどの通信送受信回路、高電圧スイッチ、スイッチング電源、制御機能を内蔵したモータードライバ、モーター駆動用Hブリッジなど、幅広い分野に ...

早稲田大学 発スタートアップのパワーダイヤモンドシステムズ（ＰＤＳ、東京都新宿区、藤嶌辰也最高経営責任者〈ＣＥＯ〉）は、第三者割当増資により複数のベンチャーキャピタル（ＶＣ）から計約７億円の資金を調達した。２０２５年に ダイヤモンドパワー半導体 ...

【プレスリリース】発表日:2024年12月10日Nexperia、パワーMOSFETの性能を新しいレベルに引き上げるCCPAK1212パッケージを発表極めて高いレベルの電流/熱管理能力で最低水準のRDS(on)を実現Nexperiaは革新的な銅クリップCCPAK1212パッケージに封止された、業界をリードする電力密度と卓越した性能を備えた16種類の新しい80V/100VパワーMOSFET ...

Could you please point me to high voltage four terminal P-MOSFETS. Voltage ratings specification ( if not available for this specification, any 4 TERMINAL power MOSFET with lower ratings is also fine) ...

Abstract: A p-type ternary logic MOSFET (P-TMOS), which serves as the counterpart to a previously reported n-type ternary logic MOSFET (N-TMOS) but has been missing for the construction of a ...

A P-channel MOSFET is turned on by pulling the gate negative with respect to the source making ... You would need to parallel 2 or 3 devices in order to handle 100A. We have a load switch FET ...

nチャンネルEモードMOSFETのトランジスタについてです。 このキャリアの変化はゲート電極の直 nチャンネルEモードMOSFETのトランジスタについてです。 このキャリアの変化はゲート電極の直下で起こっており、オフ状態からオン状態となるとキャリアが電子 ...