その製品は、システム全体の保護に必要な各種の機能を統合した単一のICソリューションとして実現されています。 理想ダイオードの基本 図1に示したのは、NチャンネルのパワーMOSFETを使用して構成した基本的な理想ダイオードです。ダイオードの機能は ...
DMOS-ASICは、基板の面積を占有している電力用半導体素子、専用IC、高耐圧・電流部を1チップ化することで、部品点数削減・省電力化・故障率低下を可能にします。 「DMOS-ASIC」でパワーMOSFETの小型化が実現できる理由 複数のディスクリート部品を使用する ...
【プレスリリース】発表日:2024年12月10日Nexperia、パワーMOSFETの性能を新しいレベルに引き上げるCCPAK1212パッケージを発表極めて高いレベルの電流/熱管理能力で最低水準のRDS(on)を実現Nexperiaは革新的な銅クリップCCPAK1212パッケージに封止された、業界をリードする電力密度と卓越した性能を備えた16種類の新しい80V/100VパワーMOSFET ...
一般に、電源監視ICのRESETピン(リセット信号を出力する)では、出力トポロジとしてオープンドレインまたはプッシュプルのうちどちらかが使われます。どちらのトポロジでもNMOSトランジスタをプルダウン用のMOSFETとして使用します。 システムのパワー ...
GaN HEMTは「暴れん坊」だからです。SiパワーMOSFETと同じように設計すると、さまざまなトラブルが発生します。そこで当社は、GaN HEMTをドライバーICと1つのパッケージに収めたSiP(System in Package)として提供していく考えです。そうすれば、より使いやすく ...
持続可能で接続性の高い、より安全な世界の実現のための産業技術の創出企業、リテルヒューズ・インク(本社:米国イリノイ州シカゴ市、NASDAQ:LFUS)の日本法人であるLittelfuseジャパン合同会社(本社:東京都港区)は、ウルトラジャンクションX ...
【プレスリリース】発表日:2024年12月05日ビシェイ社、40V ...
《power metal-oxide-semiconductor field-effect transistor》パワーエレクトロニクス分野で用いられる代表的なパワー半導体の一。大電力を扱うことができるモストランジスター(MOSFET)であり、スイッチングの動作速度が速く、スイッチング電源などに用いられる。
パワーエレクトロニクス分野における集積化(IC)化による変革を目指し、以下の4つの技術開発 ... 側との最適配線技術開発 D-③コランダム構造酸化ガリウムを用いたパワーMOSFETの開発 バンドギャップ値が5.3eVであるコランダム構造酸化ガリウム ...
トレンチ型SiC-MOSFETに独自構造を採用し、xEVの航続距離延伸や電費改善に貢献 ・従来のプレーナー型よりオン抵抗を低減するため、Siパワー半導体 ...
標準仕様のチップを初めて市場に供給し、xEVの普及と航続距離延伸や電費改善に貢献 xEV用SiC-MOSFETを製造 ... 標準仕様のパワー半導体チップを市場 ...